وحدة الطاقة SIC E2 1200 فولت 100 أمبير
HCH10FA120E2C1 عبارة عن وحدة طاقة ثلاثية المستويات تدمج رقائق MOSFET SiC 3 فولت ورقائق IGBT 1200 فولت. وهي مصممة لتطبيقات مثل محولات الطاقة الشمسية، والتبديل عالي التردد، و نظم تخزين الطاقة.
الوصف
شرح المميزات:
- حجب الجهد: 1200 فولت
- Rds(on): 9.5mΩ (VGS = 15V) / 8.3mΩ (VGS = 18V)
- خسائر تحويل منخفضة
- كثافة تيار عالية
- تقنية الاتصال PressFIT
- أقصى درجة حرارة للوصلة 175 درجة مئوية
- ترموستور مدمج
التطبيقات
- أنظمة العاكس الشمسي
- تطبيقات ثلاثية المستويات
- أنظمة تخزين الطاقة
- تطبيقات التبديل عالية التردد
