HCM40S12T4K2 عبارة عن MOSFET طاقة 1200 فولت 40mΩ من كربيد السيليكون (SiC) في TO-247-4حزمة L. مصممة بتقنية SiC المتقدمة، وتوفر جهد حجب عاليًا، ومعامل RDS منخفض (عند التشغيل)، وتبديلًا سريعًا، وموثوقية عالية. وهي مثالية لأنظمة تحويل الطاقة عالية الكفاءة التي تتطلب تصميمًا مدمجًا واستقرارًا حراريًا.
| معامل | رمز | الحالة | بعد التخفيض | وحدة |
|---|---|---|---|---|
| جهد مصدر الصرف | في دي إس ماكس | VGs=0V,Ip=100μA | 1200 | V |
| جهد البوابة-المصدر | VGS ماكس | القيم القصوى المطلقة | -10 / + 22 | V |
| عملية VGS | القيم التشغيلية الموصى بها | -5 / + 18 | V | |
| تيار التصريف المستمر | ID | VGs=18V،Tc=25℃ | 82 | A |
| VGs=18V،Tc=100℃ | 58 | |||
| تيار التصريف النبضي | نبضة الهوية | عرض النبضة tp محدود بواسطة Tvjmax | 264 | A |
| تبديد الطاقة | PD | درجة الحرارة الحرجة = 25 درجة مئوية، الحد الأقصى لدرجة الحرارة الحرجة = 175 درجة مئوية | 417 | W |
| تشغيل درجة حرارة التوصيل | تفجوب | -55 ~ 175 | ℃ | |
| مدى درجة حرارة التخزين | Tstg | -55 ~ 175 | ℃ |
تأسست شركة HIITIO® في عام 2018 نتيجة لتأسيس شركة Hecheng Electric لفريق بحث وتطوير ناضج. تتخصص شركة HIITIO في إنتاج الأجهزة الكهربائية ذات الجهد العالي DC للسيارات الكهربائية وأنظمة الطاقة الشمسية وتطبيقات تخزين الطاقة.
الحلول
الدعم
سنوات من الخبرة
البلدان والمناطق
عملاء
مصنع التصنيع
دعونا نرحل
الدول والمناطق
العملاء
㎡ مصنع للإنتاج
تحميل موقعنا
